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IPW50R140CP

更新时间： 2024-10-28 03:40:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 362K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

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IPW50R140CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-247AC
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.45
雪崩能效等级（Eas）：616 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：192 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPW50R140CP 数据手册

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IPW50R140CP  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
14  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I S  
Continuous diode forward current  
Diode pulse current2)  
Reverse diode dv /dt 4)  
A
T C=25 °C  
I S,pulse  
56  
dv /dt  
15  
V/ns  
Values  
typ.  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
min.  
max.  
Thermal characteristics  
R thJC  
Thermal resistance, junction - case  
-
-
-
-
0.65 K/W  
62  
Thermal resistance, junction -  
ambient  
R thJA  
leaded  
Soldering temperature,  
wavesoldering only allowed at leads  
1.6 mm (0.063 in.)  
from case for 10 s  
T sold  
-
-
260 °C  
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Static characteristics  
V (BR)DSS  
V GS(th)  
V
V
GS=0 V, I D=250 µA  
DS=V GS, I D=0.93 mA  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
500  
2.5  
-
-
V
3
3.5  
V
DS=500 V, V GS=0 V,  
I DSS  
Zero gate voltage drain current  
-
-
2
-
µA  
T j=25 °C  
V
DS=500 V, V GS=0 V,  
-
-
-
20  
-
T j=150 °C  
I GSS  
V
V
GS=20 V, V DS=0 V  
GS=10 V, I D=14 A,  
Gate-source leakage current  
100 nA  
R DS(on)  
Drain-source on-state resistance  
0.13  
0.14  
Ω
T j=25 °C  
V
GS=10 V, I D=14 A,  
-
-
0.32  
2.2  
-
T j=150 °C  
R G  
Gate resistance  
f =1 MHz, open drain  
-
Ω
Rev. 1.01  
page 2  
2007-02-06  
1234567...10

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与IPW50R140CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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