5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPW50R140CP
IPW50R140CP PDF预览

IPW50R140CP

更新时间： 2024-11-18 03:40:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 362K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPW50R140CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-247AC
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.45
雪崩能效等级（Eas）：616 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A
最大漏极电流 (ID)：23 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：192 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPW50R140CP 数据手册

 浏览型号IPW50R140CP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPW50R140CP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPW50R140CP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPW50R140CP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPW50R140CP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPW50R140CP的Datasheet PDF文件第7页 
IPW50R140CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @Tjmax  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
550  
0.140  
48  
V
• Worldwide best R DS ,on in TO220  
• Lowest figure of merit RON x Qg  
Ω
nC  
• Ultra low gate charge  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
PG-TO247  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Quailfied according to JEDEC1) for target applications  
CoolMOS CP is designed for:  
• Hard & soft switching SMPS topologies  
• CCM PFC for ATX, Notebookadapter & PDP and LCD TV  
• PWM for ATX, Notebook adapter, PDP and LCD TV  
Type  
Package  
Marking  
IPW50R140CP  
PG-TO247  
5R140P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
23  
15  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current2)  
56  
I D,pulse  
E AS  
I D=9.3 A, V DD=50 V  
I D=9.3 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
616  
0.93  
9.3  
mJ  
2),3)  
2),3)  
E AR  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
192  
-55 ... 150  
60  
static  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M3 and M3.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 1.01  
2007-02-06  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与IPW50R140CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPW50R140CP_08 INFINEON

获取价格

 		CoolMOS Power Transistor
IPW50R190CE INFINEON

获取价格

 		500V CoolMOS™ CE Power MOSFET
IPW50R190CEFKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPW50R199CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOS Power Transistor
IPW50R250CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology
IPW50R250CPFKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPW50R280CE INFINEON

获取价格

 		500V CoolMOS™ CE Power MOSFET
IPW50R299CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor Features Extreme dv/dt rated High peak current capability
IPW50R350CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor Features Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
IPW50R350CPFKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IPW50R140CP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证