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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0054 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 107 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPP04N03LBG_08 | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPP04N03LBGHKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP050N06L | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPP050N06LG | INFINEON |
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OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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| IPP050N06NG | INFINEON |
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OptiMOS™ Power-Transistor Features For fast s |
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| IPP050N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V |
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| IPP051N15N5 | INFINEON |
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英飞凌新推出的 OptiMOS™5 150 V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏 |
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| IPP052N06L3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPP052N06L3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor |
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| IPP052N06L3GXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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