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IPP04N03LBGHKSA1

更新时间： 2024-11-18 15:41:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 535K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP04N03LBGHKSA1 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：270 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：80 A最大漏源导通电阻：0.0054 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP04N03LBGHKSA1 数据手册

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