Datasheet > IPA65R190CFD

IPA65R190CFD

更新时间： 2024-11-05 12:33:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
20页	6536K
描述
Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPA65R190CFD 数据手册

MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

CoolMOS C6/CFD 650V

650V CoolMOS™ C6 CFD Power Transistor

IPx65R190CFD

Data Sheet Data Sheet

Rev. 2.2

Final

Industrial & Multimarket

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPA65R190CFDXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPA65R190E6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOSâ¢ E6 Power Transistor
IPA65R190E6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA65R1K0CE	INFINEON	获取价格
IPA65R225C7	INFINEON	获取价格	英飞凌的 CoolMOS? C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范
IPA65R280C6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPA65R280E6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA65R280E6_1008	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA65R310CFD	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
IPA65R310CFDXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M