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IPA70R360P7S

更新时间： 2024-11-25 11:14:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		手机电脑
页数	文件大小	规格书
13页	1115K
描述
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择：

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IPA70R360P7S 数据手册

IPA70R360P7S

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

700VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtargetꢀcost

sensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,

lighting,ꢀTV,ꢀetc.

TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction

MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof

theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency

standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing

towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.

Drain

Pin 2

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀExcellentꢀthermalꢀbehavior

Gate

Pin 1

•ꢀIntegratedꢀESDꢀprotectionꢀdiode

•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀ(E_oss

•ꢀProductꢀvalidationꢀacc.ꢀJEDECꢀStandard

)

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀCostꢀcompetitiveꢀtechnology

•ꢀLowerꢀtemperature

•ꢀHighꢀESDꢀruggedness

•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies

•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀFlybackꢀtopologiesꢀforꢀexampleꢀusedꢀinꢀChargers,

Adapters,ꢀLightingꢀApplications,ꢀetc.

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Value

700

0.36

16.4

Unit

Ω

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

V_(GS)th,typ

1.8

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TO 220 FullPAK

Marking

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IPA70R360P7S

70S360P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2020-01-27

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPA70R600P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结
IPA70R900P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结
IPA80R1K0CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPA80R1K4CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPA80R1K4P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPA80R280P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPA80R310CE	ISC	获取价格	isc N-Channel MOSFET Transistor
IPA80R310CE	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPA80R360P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPA80R450P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足

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