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IPA65R225C7

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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英飞凌 - INFINEON		开关
页数	文件大小	规格书
14页	1167K
描述
英飞凌的 CoolMOS? C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。

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IPA65R225C7

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

650VꢀCoolMOSªꢀC7ꢀPowerꢀDevice

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

CoolMOS™ꢀC7ꢀseriesꢀcombinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJ

MOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhighꢀclassꢀinnovation.ꢀTheꢀproductꢀportfolio

providesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀfastꢀswitchingꢀsuperjunctionꢀMOSFETsꢀoffering

betterꢀefficiency,ꢀreducedꢀgateꢀcharge,ꢀeasyꢀimplementationꢀand

outstandingꢀreliability.

Features

•ꢀIncreasedꢀMOSFETꢀdv/dtꢀruggedness

•ꢀBetterꢀefficiencyꢀdueꢀtoꢀbestꢀinꢀclassꢀFOMꢀR_DS(on)*E_ossꢀandꢀR_DS(on)*Q_g

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀ/package

Drain

Pin 2

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀhalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

Benefits

*1: Internal body diode

•ꢀEnablingꢀhigherꢀsystemꢀefficiency

•ꢀEnablingꢀhigherꢀfrequencyꢀ/ꢀincreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutions

•ꢀSystemꢀcostꢀ/ꢀsizeꢀsavingsꢀdueꢀtoꢀreducedꢀcoolingꢀrequirements

•ꢀHigherꢀsystemꢀreliabilityꢀdueꢀtoꢀlowerꢀoperatingꢀtemperatures

Potentialꢀapplications

PFCꢀstagesꢀandꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀforꢀe.g.ꢀComputing,ꢀServer,

Telecom,ꢀUPSꢀandꢀSolar.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Q_g.typ

Value

700

225

Unit

mΩ

I_D,pulse

E_oss@400V

Body diode di/dt

2.3

µJ

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TO 220 FullPAK

Marking

RelatedꢀLinks

IPA65R225C7

65C7225

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2020-01-29

12 3 4 5 6 7...14

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