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IPA65R280E6

更新时间: 2024-11-20 11:08:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
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19页 2031K
描述
650V CoolMOS E6 Power Transistor

IPA65R280E6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.62
雪崩能效等级(Eas):290 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):13.8 A最大漏源导通电阻:0.28 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):32 W最大脉冲漏极电流 (IDM):39 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPA65R280E6 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS E6  
650V CoolMOS™ E6 Power Transistor  
IPx65R280E6  
Data Sheet  
Rev. 2.0, 2010-04-26  
Final  
Industrial & Multimarket  

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