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IPA70R600P7S

更新时间： 2024-11-06 11:15:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 手机电脑
页数 文件大小 规格书
13页 1101K
描述
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择：

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IPA70R600P7S  
MOSFET  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
700VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.  
TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtargetꢀcost  
sensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,  
lighting,ꢀTV,ꢀetc.  
TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction  
MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof  
theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency  
standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing  
towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.  
Drain  
Pin 2  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRDS(on)*QgꢀandꢀRDS(on)*Eoss  
•ꢀExcellentꢀthermalꢀbehavior  
*1  
Gate  
Pin 1  
*2  
•ꢀIntegratedꢀESDꢀprotectionꢀdiode  
•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀ(Eoss  
•ꢀProductꢀvalidationꢀacc.ꢀJEDECꢀStandard  
)
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
*2: Integrated ESD diode  
Benefits  
•ꢀCostꢀcompetitiveꢀtechnology  
•ꢀLowerꢀtemperature  
•ꢀHighꢀESDꢀruggedness  
•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies  
•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors  
Potentialꢀapplications  
RecommendedꢀforꢀFlybackꢀtopologiesꢀforꢀexampleꢀusedꢀinꢀChargers,  
Adapters,ꢀLightingꢀApplications,ꢀetc.  
Productꢀvalidation  
QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj=25°C  
RDS(on),max  
Value  
700  
0.6  
10.5  
20.5  
1.2  
3
Unit  
V
Ω
Qg,typ  
nC  
A
ID,pulse  
Eoss @ 400V  
V(GS)th,typ  
µJ  
V
ESD class (HBM)  
2
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
PG-TO 220 FullPAK  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPA70R600P7S  
70S600P7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2020-01-27  
1234567...13

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IPA70R900P7S INFINEON

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 		顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结
IPA80R1K0CE INFINEON

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 		800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPA80R1K4CE INFINEON

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 		800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPA80R1K4P7 INFINEON

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 		800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPA80R280P7 INFINEON

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 		800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPA80R310CE ISC

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 		isc N-Channel MOSFET Transistor
IPA80R310CE INFINEON

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 		800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C
IPA80R360P7 INFINEON

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 		800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPA80R450P7 INFINEON

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 		800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPA80R460CE ISC

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 		Isc N-Channel MOSFET Transistor

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