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IPA80R310CE

更新时间: 2024-11-19 01:17:27
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无锡固电 - ISC /
页数 文件大小 规格书
2页 261K
描述
isc N-Channel MOSFET Transistor

IPA80R310CE 数据手册

 浏览型号IPA80R310CE的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
Isc N-Channel MOSFET Transistor  
IPA80R460CE  
·FEATURES  
·With TO-220F package  
·Low input capacitance and gate charge  
·Reduced switching and conduction losses  
·100% avalanche tested  
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device  
performance and reliable operation  
·APPLICATIONS  
·Switching applications  
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VDSS  
VGSS  
ID  
PARAMETER  
VALUE  
800  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±30  
V
Drain Current-Continuous @Tc=25℃  
10.8  
6.8  
A
(VGS at 10V)  
Tc=100℃  
IDM  
Drain Current-Single Pulsed  
33  
34  
A
PD  
Total Dissipation @TC=25℃  
W
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
-55~150  
Tstg  
·THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
/W  
/W  
Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance  
Rth(ch-a) Channel-to-ambient thermal resistance  
3.7  
80  
1
isc websitewww.iscsemi.cn  
isc & iscsemi is registered trademark  

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