型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPA65R650CE_16 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠CE Power Transistor | |
IPA65R650CEXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IPA65R660CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS CFD Power Transistor | |
IPA65R660CFDXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IPA70R360P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 | |
IPA70R600P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 | |
IPA70R900P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 | |
IPA80R1K0CE | INFINEON |
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800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列,可提供 800V 的击穿电压。C | |
IPA80R1K4CE | INFINEON |
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800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列,可提供 800V 的击穿电压。C | |
IPA80R1K4P7 | INFINEON |
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800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用,可完全满足 |