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IPA90R340C3XKSA1

更新时间： 2024-09-15 14:42:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 268K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

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IPA90R340C3XKSA1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：29 weeks
风险等级：8.43Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：678 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.34 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：34 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPA90R340C3XKSA1 数据手册

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IPA90R340C3  
CoolMOS™ Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V
R
DS @ T J=25°C  
900  
0.34  
94  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Extreme dv/dt rated  
DS(on),max @ T J = 25°C  
Ω
Q g,typ  
nC  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-TO220 FP  
• Worldwide best R DS,on in TO220 Fullpak  
• Ultra low gate charge  
CoolMOS™ 900V is designed for:  
• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies  
• PC Silverbox and consumer applications  
• Industrial SMPS  
Type  
Package  
Marking  
IPA90R340C3  
PG-TO220 FP  
9R340C  
Maximum ratings, at T J=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current2)  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
15  
9.5  
A
Pulsed drain current3)  
34  
I D,pulse  
E AS  
I D=3.1 A, V DD=50 V  
I D=3.1 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
678  
1
mJ  
3),4)  
3),4)  
E AR  
I AR  
3.1  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...400 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
±30  
35  
static  
AC (f>1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
Power dissipation  
W
T J, T stg  
-55 ... 150  
50  
Operating and storage temperature  
Mounting torque  
°C  
M2.5 screws  
page 1  
Ncm  
Rev. 1.0  
2008-07-29  
1234567...10

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IPA90R340C3XKSA1 替代型号

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