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IPAN70R600P7S

更新时间： 2024-10-31 11:12:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		手机电脑
页数	文件大小	规格书
13页	925K
描述
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择：

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IPAN70R600P7S 数据手册

IPAN70R600P7S

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

700VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtargetꢀcost

sensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,

lighting,ꢀTV,ꢀetc.

TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction

MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof

theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency

standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing

towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.

Drain

Pin 2, Tab

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀExcellentꢀthermalꢀbehavior

•ꢀIntegratedꢀESDꢀprotectionꢀdiode

Gate

Pin 1

•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀ(E_oss

•ꢀProductꢀvalidationꢀacc.ꢀJEDECꢀStandard

)

Source

Pin 3

Benefits

•ꢀCostꢀcompetitiveꢀtechnology

•ꢀLowerꢀtemperature

•ꢀHighꢀESDꢀruggedness

•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies

•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀFlybackꢀtopologiesꢀforꢀexampleꢀusedꢀinꢀChargers,

Adapters,ꢀLightingꢀApplications,ꢀetc.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Value

700

0.6

10.5

20.5

1.2

Unit

Ω

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

V_(GS)th,typ

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO 220 FullPAK -

Narrow Lead

IPAN70R600P7S

70S600P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-02-13

12 3 4 5 6 7...13

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与IPAN70R600P7S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPAN70R750P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MO
IPAN80R280P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R360P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R450P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAW60R190CEXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPAW60R280P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPAW60R360P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPAW60R600P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPB009N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power Transistor
IPB009N03LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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