是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 1.65 | 雪崩能效等级(Eas): | 17 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 16 A |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB009N03LG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power Transistor | |
IPB009N03LGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB010N06N | INFINEON |
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New OptiMOS⢠40V and 60V | |
IPB011N04L G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
IPB011N04LG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power Transistor | |
IPB011N04LGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB011N04LGXT | INFINEON |
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暂无描述 | |
IPB011N04N G | INFINEON |
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OptiMOS? 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
IPB011N04NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V f | |
IPB011N04NG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |