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IPAN60R180CM8

更新时间： 2024-11-22 17:15:19
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
14页 1157K
描述
The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.

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IPAN60R180CM8 数据手册

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IPAN60R180CM8  
MOSFET  
PG-TO220ꢀFP  
600VꢀCoolMOSªꢀCM8ꢀPowerꢀTransistor  
TheꢀCoolMOS™ꢀ8thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor  
highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction  
(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V  
CoolMOS™ꢀCM8ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀ7.  
ItꢀcombinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellent  
easeꢀofꢀuse,ꢀe.gꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀimplementedꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀ(CFD)  
forꢀallꢀproductsꢀwithꢀoutstandingꢀrobustnessꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀand  
excellentꢀESDꢀcapability.ꢀFurthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀand  
conductionꢀlossesꢀofꢀCM8,ꢀmakeꢀswitchingꢀapplicationsꢀevenꢀmore  
efficient.  
Features  
Drain  
Pin 2  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀtopologiesꢀthanksꢀtoꢀan  
ꢀꢁꢀoutstandingꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses  
•ꢀBestꢀinꢀclassꢀRDS(on)ꢀperꢀpackageꢀproductsꢀenabledꢀbyꢀultraꢀlowꢀRDS(on)*A  
*1  
Gate  
Pin 1  
*2  
Source  
Pin 3  
*1: Internal body diode  
*2: Integrated ESD diode  
Benefits  
•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage  
ꢀꢁꢀacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages  
•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀthanksꢀtoꢀourꢀadvancedꢀdieꢀattach  
ꢀꢁꢀtechnique  
•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith  
ꢀꢁꢀsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀstateꢀofꢀtheꢀart  
ꢀꢁꢀESDꢀprotection  
•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges  
Potentialꢀapplications  
•ꢀPowerꢀsuppliesꢀandꢀconverters  
•ꢀPFCꢀstagesꢀ&ꢀLLCꢀresonantꢀconverters  
•ꢀHighꢀefficiencyꢀswitchingꢀapplications  
Productꢀvalidation  
FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Value  
650  
180  
17  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
Qg,typ  
ID,pulse  
48  
Eoss @ 400V  
Body diode diF/dt  
ESD class (HBM)  
2.4  
µJ  
1300  
2
A/µs  
-
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
PG-TO220 FullPAK -  
Narrow Lead  
IPAN60R180CM8  
60R180C8  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2024-03-21  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPAN60R180P7S INFINEON

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 		600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPAN60R210PFD7S INFINEON

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