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IPAN60R180CM8

更新时间： 2024-05-23 22:22:06

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英飞凌 - INFINEON		/
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14页	1157K
描述
The 600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFETs series is the successor to the 600 V CoolMOS? 7 MOSFET family including P7, S7, CFD7, C7 (G7) and PFD7.

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IPAN60R180CM8 数据手册

IPAN60R180CM8

MOSFET

PG-TO220ꢀFP

600VꢀCoolMOSªꢀCM8ꢀPowerꢀTransistor

TheꢀCoolMOS™ꢀ8thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀCM8ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀ7.

ItꢀcombinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellent

easeꢀofꢀuse,ꢀe.gꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀimplementedꢀfastꢀbodyꢀdiodeꢀ(CFD)

forꢀallꢀproductsꢀwithꢀoutstandingꢀrobustnessꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀand

excellentꢀESDꢀcapability.ꢀFurthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀand

conductionꢀlossesꢀofꢀCM8,ꢀmakeꢀswitchingꢀapplicationsꢀevenꢀmore

efficient.

Features

Drain

Pin 2

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀtopologiesꢀthanksꢀtoꢀan

ꢀꢁꢀoutstandingꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀBestꢀinꢀclassꢀR_DS(on)ꢀperꢀpackageꢀproductsꢀenabledꢀbyꢀultraꢀlowꢀR_DS(on)*A

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁꢀacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀthanksꢀtoꢀourꢀadvancedꢀdieꢀattach

ꢀꢁꢀtechnique

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁꢀsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀstateꢀofꢀtheꢀart

ꢀꢁꢀESDꢀprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

•ꢀPowerꢀsuppliesꢀandꢀconverters

•ꢀPFCꢀstagesꢀ&ꢀLLCꢀresonantꢀconverters

•ꢀHighꢀefficiencyꢀswitchingꢀapplications

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

180

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD class (HBM)

2.4

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO220 FullPAK -

Narrow Lead

IPAN60R180CM8

60R180C8

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2024-03-21

12 3 4 5 6 7...14

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与IPAN60R180CM8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPAN60R180P7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPAN60R210PFD7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R210PFD7S
IPAN60R280PFD7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R280PFD7S
IPAN60R360PFD7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R360PFD7S
IPAN60R650CE	INFINEON	获取价格
IPAN65R650CE	INFINEON	获取价格
IPAN70R360P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS? P7?超结 MO
IPAN70R600P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MO
IPAN70R750P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MO
IPAN80R280P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足

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