Datasheet > IPAN70R750P7S

IPAN70R750P7S

更新时间： 2024-10-31 11:13:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		手机电脑
页数	文件大小	规格书
13页	954K
描述
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择：

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPAN70R750P7S 数据手册

IPAN70R750P7S

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

700VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀP7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtargetꢀcost

sensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,

lighting,ꢀTV,ꢀetc.

TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction

MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof

theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency

standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing

towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.

Drain

Pin 2, Tab

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀExcellentꢀthermalꢀbehavior

•ꢀIntegratedꢀESDꢀprotectionꢀdiode

Gate

Pin 1

•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀ(E_oss

•ꢀProductꢀvalidationꢀacc.ꢀJEDECꢀStandard

)

Source

Pin 3

Benefits

•ꢀCostꢀcompetitiveꢀtechnology

•ꢀLowerꢀtemperature

•ꢀHighꢀESDꢀruggedness

•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies

•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀFlybackꢀtopologiesꢀforꢀexampleꢀusedꢀinꢀChargers,

Adapters,ꢀLightingꢀApplications,ꢀetc.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseperateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j=25°C

R_DS(on),max

Value

700

0.75

8.3

Unit

Ω

Q_g,typ

I_D,pulse

15.4

0.9

E_oss@ 400V

V_(GS)th,typ

µJ

ESD class (HBM)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO 220 FullPAK -

Narrow Lead

IPAN70R750P7S

70S750P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2018-02-13

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与IPAN70R750P7S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPAN80R280P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R360P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R450P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAW60R190CEXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPAW60R280P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPAW60R360P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPAW60R600P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPB009N03LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power Transistor
IPB009N03LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB010N06N	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V

与IPAN70R750P7S相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

18
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPAN70R750P7S

IPAN70R750P7S 数据手册

与IPAN70R750P7S相关器件

与IPAN70R750P7S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPAN70R750P7S

IPAN70R750P7S 数据手册

与IPAN70R750P7S相关器件

与IPAN70R750P7S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？