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IPAN60R280PFD7S

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

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英飞凌 - INFINEON		开关二极管
页数	文件大小	规格书
14页	1177K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R280PFD7S) 补充了CoolMOS? 7 系列产品，可用于消费类应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 IPAN60R280PFD7S 具有 280mOhm 的 RDS(on)?，降低了开关损耗。该产品配备了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。

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IPAN60R280PFD7S 数据手册

IPAN60R280PFD7S

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀPFD7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtarget

costꢀsensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,

motorꢀdrive,ꢀlighting,ꢀetc.

TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction

MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof

theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency

standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing

towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.

Drain

Pin 2

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀE_oss,ꢀexcellentꢀthermalꢀbehavior

•ꢀFastꢀbodyꢀdiode

Gate

Pin 1

•ꢀWideꢀrangeꢀportfolioꢀofꢀR_DS(on)ꢀandꢀpackageꢀvariations

•ꢀIntegratedꢀzenerꢀdiode

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors

•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies

•ꢀExcellentꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀandꢀoptimizeꢀtheꢀdesign

•ꢀHighꢀESDꢀruggedness

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀZVSꢀtopologiesꢀusedꢀinꢀhighꢀdensityꢀchargers,

adapters,ꢀlightingꢀandꢀmotorꢀdrivesꢀapplications,ꢀetc.

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

280

15.3

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD Class (HBM)

2.0

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO 220 FullPAK -

Narrow Lead

IPAN60R280PFD7S

60S280D7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2019-11-29

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPAN60R360PFD7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R360PFD7S
IPAN60R650CE	INFINEON	获取价格
IPAN65R650CE	INFINEON	获取价格
IPAN70R360P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS? P7?超结 MO
IPAN70R600P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MO
IPAN70R750P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MO
IPAN80R280P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R360P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R450P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAW60R190CEXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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