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IPAN60R360PFD7S

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

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英飞凌 - INFINEON		开关二极管
页数	文件大小	规格书
14页	1153K
描述
600V CoolMOS? PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R360PFD7S) 补充了CoolMOS? 7 系列产品，可用于消费类应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 IPAN60R360PFD7S 具有 360mOhm 的 RDS(on)?，降低了开关损耗。该产品配备了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。

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IPAN60R360PFD7S 数据手册

IPAN60R360PFD7S

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

600VꢀCoolMOSªꢀPFD7ꢀSJꢀPowerꢀDevice

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.

TheꢀlatestꢀCoolMOS™ꢀPFD7ꢀisꢀanꢀoptimizedꢀplatformꢀtailoredꢀtoꢀtarget

costꢀsensitiveꢀapplicationsꢀinꢀconsumerꢀmarketsꢀsuchꢀasꢀcharger,ꢀadapter,

motorꢀdrive,ꢀlighting,ꢀetc.

TheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSuperjunction

MOSFET,ꢀcombinedꢀwithꢀanꢀexcellentꢀprice/performanceꢀratioꢀandꢀstateꢀof

theꢀartꢀease-of-useꢀlevel.ꢀTheꢀtechnologyꢀmeetsꢀhighestꢀefficiency

standardsꢀandꢀsupportsꢀhighꢀpowerꢀdensity,ꢀenablingꢀcustomersꢀgoing

towardsꢀveryꢀslimꢀdesigns.

Drain

Pin 2

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀR_DS(on)*Q_gꢀandꢀR_DS(on)*E_oss

•ꢀLowꢀswitchingꢀlossesꢀE_oss,ꢀexcellentꢀthermalꢀbehavior

•ꢀFastꢀbodyꢀdiode

Gate

Pin 1

•ꢀWideꢀrangeꢀportfolioꢀofꢀR_DS(on)ꢀandꢀpackageꢀvariations

•ꢀIntegratedꢀzenerꢀdiode

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀEnablesꢀhighꢀpowerꢀdensityꢀdesignsꢀandꢀsmallꢀformꢀfactors

•ꢀEnablesꢀefficiencyꢀgainsꢀatꢀhigherꢀswitchingꢀfrequencies

•ꢀExcellentꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀselectꢀrightꢀpartsꢀandꢀoptimizeꢀtheꢀdesign

•ꢀHighꢀESDꢀruggedness

Potentialꢀapplications

RecommendedꢀforꢀZVSꢀtopologiesꢀusedꢀinꢀhighꢀdensityꢀchargers,

adapters,ꢀlightingꢀandꢀmotorꢀdrivesꢀapplications,ꢀetc.

Productꢀvalidation

QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

360

12.7

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

ESD Class (HBM)

1.6

µJ

1300

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO 220 FullPAK -

Narrow Lead

IPAN60R360PFD7S

60S360D7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2019-11-29

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPAN60R650CE	INFINEON	获取价格
IPAN65R650CE	INFINEON	获取价格
IPAN70R360P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS? P7?超结 MO
IPAN70R600P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MO
IPAN70R750P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发—— 700V CoolMOS™ P7 超结 MO
IPAN80R280P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R360P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAN80R450P7	INFINEON	获取价格	800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足
IPAW60R190CEXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IPAW60R280P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

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