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IPA90R1K0C3

更新时间： 2024-11-21 11:08:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
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10页 730K
描述
CoolMOS Power Transistor

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IPA90R1K0C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.26
雪崩能效等级（Eas）：97 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 A最大漏极电流 (ID)：5.7 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：32 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPA90R1K0C3 数据手册

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与IPA90R1K0C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA90R1K0C3XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IPA90R1K2C3 INFINEON

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 		CoolMOS Power Transistor
IPA90R340C3 INFINEON

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