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IPA65R650CE_16

更新时间： 2024-11-21 01:16:31

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英飞凌 - INFINEON		/
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描述
650V CoolMOSâ¢ CE Power Transistor

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IPA65R650CE_16 数据手册

IPA65R650CE,ꢀIPD65R650CE

MOSFET

TO-220ꢀFP

DPAK

650VꢀCoolMOS™ꢀCEꢀPowerꢀTransistor

tab

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa

price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive

applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest

efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand

offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Features

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

Source

Pin 3

•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound

•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications

Applications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

I_D.

Value

700

650

10.1

Unit

mΩ

Q_g.typ

I_D,pulse

E_oss@400V

µJ

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

IPA65R650CE

Package

Marking

RelatedꢀLinks

see Appendix A

PG-TO 220 FullPAK

PG-TO 252

65S650CE

IPD65R650CE

Final Data Sheet

2016-03-31

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPA65R660CFDXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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IPA70R600P7S	INFINEON	获取价格	顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结
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