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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA70R360P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 |
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| IPA70R600P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 |
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| IPA70R900P7S | INFINEON |
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顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 |
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| IPA80R1K0CE | INFINEON |
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800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C |
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| IPA80R1K4CE | INFINEON |
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800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C |
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| IPA80R1K4P7 | INFINEON |
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800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPA80R280P7 | INFINEON |
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800V CoolMOS? P7超结MOSFET系列完全适合低功率SMPS应用，可完全满足 |
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| IPA80R310CE | ISC |
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isc N-Channel MOSFET Transistor |
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| IPA80R310CE | INFINEON |
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800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列，可提供 800V 的击穿电压。C |
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| IPA80R360P7 | INFINEON |
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