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IPA65R650CE

更新时间: 2024-11-07 01:16:31
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英飞凌 - INFINEON /
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16页 1164K
描述
650V CoolMOS™ CE Power Transistor

IPA65R650CE 数据手册

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IPA65R650CE,ꢀIPD65R650CE  
MOSFET  
TO-220ꢀFP  
DPAK  
650VꢀCoolMOS™ꢀCEꢀPowerꢀTransistor  
tab  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa  
2
1
3
price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive  
applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest  
efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast  
switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand  
offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.  
Drain  
Pin 2, Tab  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
Source  
Pin 3  
•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound  
•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications  
Applications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
ID.  
Value  
700  
650  
10.1  
23  
Unit  
V
m  
A
Qg.typ  
nC  
A
ID,pulse  
18  
Eoss@400V  
2
µJ  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPA65R650CE  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
see Appendix A  
PG-TO 220 FullPAK  
PG-TO 252  
65S650CE  
IPD65R650CE  
Final Data Sheet  
1
2016-03-31  

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