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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 215 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 29 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA65R380E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPA65R400CE | INFINEON |
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| IPA65R420CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
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| IPA65R600C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPA65R600C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPA65R600E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS E6 Power Transistor |
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| IPA65R600E6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IPA65R650CE | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠CE Power Transistor |
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| IPA65R650CE_15 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPA65R650CE_16 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS⢠CE Power Transistor |
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