是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 0.82 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 133 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPA60R600P6 | INFINEON |
功能相似 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | |
IPA60R600CPXKSA1 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPA60R600CP | INFINEON |
功能相似 |
CoolMos Power Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPA60R600P7 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS | |
IPA60R600P7S | INFINEON |
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600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS | |
IPA60R600P7SXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se | |
IPA60R650CE | INFINEON |
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600V CoolMOSª CE Power Transistor | |
IPA60R650CE_16 | INFINEON |
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600V CoolMOSª CE Power Transistor | |
IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPA60R750E6 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOS E6 Power Transistor | |
IPA60R800CE | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOSª CE Power Transistor | |
IPA60R800CE_16 | INFINEON |
获取价格 |
600V CoolMOSª CE Power Transistor | |
IPA60R950C6 | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |