型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPA65R150CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPA65R190C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
IPA65R190C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPA65R190C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 | |
IPA65R190CFD | INFINEON |
获取价格 |
Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor | |
IPA65R190CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPA65R190E6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor | |
IPA65R190E6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPA65R1K0CE | INFINEON |
获取价格 |
||
IPA65R225C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS? C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范 |