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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA65R125C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS? C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
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| IPA65R150CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
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| IPA65R150CFDXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA65R190C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPA65R190C6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IPA65R190C7 | INFINEON |
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英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
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| IPA65R190CFD | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor |
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| IPA65R190CFDXKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPA65R190E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS⢠E6 Power Transistor |
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| IPA65R190E6XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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