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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 2.28 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 46 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 26 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPA04N60C3XKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPP60R950C6 | INFINEON |
类似代替 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| IPD60R950C6 | INFINEON |
功能相似 |
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPA60R950C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPA65R045C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
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| IPA65R065C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS? C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
|
| IPA65R095C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
|
| IPA65R110CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
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| IPA65R125C7 | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 CoolMOS? C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范 |
|
| IPA65R150CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS™ CFD2 替代产品是600V CoolMOS™ CFD7 |
|
| IPA65R150CFDXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPA65R190C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
|
| IPA65R190C6XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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