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IPA60R800CE

更新时间： 2024-11-24 01:16:31
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
600V CoolMOSª CE Power Transistor

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IPA60R800CE 数据手册

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IPD60R800CE,ꢀIPA60R800CE  
MOSFET  
DPAK  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor  
tab  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa  
2
1
3
price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive  
applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest  
efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast  
switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand  
offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.  
Drain  
Pin 2, Tab  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
Source  
Pin 3  
•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound  
•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications  
Applications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.  
Pleaseꢀnote:ꢀNote1:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀon  
theꢀgateꢀorꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀꢀꢀꢀNote2:ꢀ*6R800CEꢀisꢀFullꢀPAKꢀmarkingꢀonly  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Id.  
Value  
650  
800  
8.4  
Unit  
V
mΩ  
A
Qg.typ  
17.2  
15.7  
1.6  
nC  
A
ID,pulse  
Eoss@400V  
µJ  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPD60R800CE  
Package  
Marking  
60S800CE / 6R800CE*  
RelatedꢀLinks  
PG-TO 252  
see Appendix A  
IPA60R800CE  
PG-TO 220 FullPAK  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2016-08-08  
1234567...16

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