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IPA60R600P7

更新时间： 2024-11-27 11:14:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1089K
描述
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

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IPA60R600P7 数据手册

IPA60R600P7

MOSFET

PG-TOꢀ220ꢀFP

600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀDevice

TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor

highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction

(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V

CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt

combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease

ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody

diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.

Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake

switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch

cooler.

Features

Drain

Pin 2

•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding

ꢀꢁcommutationꢀruggedness

•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses

•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts

•ꢀBetterꢀR_DS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa

ꢀꢁlowꢀR_DS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

*1: Internal body diode

*2: Integrated ESD diode

Benefits

•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage

ꢀꢁacrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages

•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction

ꢀꢁlosses

•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith

ꢀꢁsmallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD

ꢀꢁprotection

•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges

Potentialꢀapplications

PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages

forꢀe.g.ꢀꢀꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,ꢀTelecom

andꢀUPS.

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate

orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

V_DS@ T_j,max

R_DS(on),max

Value

650

600

Unit

mΩ

Q_g,typ

I_D,pulse

E_oss@ 400V

Body diode di_F/dt

1.1

µJ

900

A/µs

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

PG-TO 220 FullPAK

Marking

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IPA60R600P7

60R600P7

see Appendix A

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2020-01-30

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPA60R600P7S	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS? P7?超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS
IPA60R600P7SXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IPA60R650CE	INFINEON	获取价格	600V CoolMOSÂª CE Power Transistor
IPA60R650CE_16	INFINEON	获取价格	600V CoolMOSÂª CE Power Transistor
IPA60R650CEXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R750E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA60R800CE	INFINEON	获取价格	600V CoolMOSÂª CE Power Transistor
IPA60R800CE_16	INFINEON	获取价格	600V CoolMOSÂª CE Power Transistor
IPA60R950C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R950C6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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