5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IMX8T108
IMX8T108 PDF预览

IMX8T108

更新时间： 2024-11-06 20:58:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 47K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SMT6, SC-74, 6 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IMX8T108 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-74
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：7.33
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：140 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

IMX8T108 数据手册

  
IMX8  
Transistors  
General purpose (dual transistors)  
IMX8  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Two 2SC3906K chips in an SMT package.  
2) High breakdown voltage.  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
1.6  
2.8  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
120  
120  
V
5
50  
V
I
C
mA  
mW  
°C  
°C  
Power dissipation  
Pc  
Tj  
300(TOTAL)  
150  
∗
Junction temperature  
Storage temperature  
0.3Min.  
Tstg  
−55~+150  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
200mW per element must not be exceeded.  
∗
!Package, marking, and packaging specifications  
Part No.  
IMX8  
SMT6  
X4  
Package  
Marking  
T108  
3000  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
!Equivalent circuit  
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
120  
120  
5
−
−
−
−
−
−
140  
−
−
−
−
0.5  
0.5  
820  
−
V
V
I
I
I
C
=
1mA  
50µA  
C=  
V
E
=
50µA  
100V  
4V  
6V, I  
CE=−12V, I  
/I 10mA/1mA  
I
CBO  
EBO  
FE  
−
−
180  
−
−
µA  
µA  
−
MHz  
V
V
V
V
V
CB  
EB  
CE  
=
=
=
Emitter cutoff current  
I
DC current transfer ratio  
h
C
=
E
2mA  
Transition frequency  
f
T
=2mA, f=100MHz  
∗
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
0.5  
IC B=  
Transition frequency of the device  
∗
1

中文翻译

下载PDF

IMX8T108 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IMX8-7 DIODES

功能相似

 DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
IMX8 ROHM

功能相似

 General purpose (dual transistors)

与IMX8T108相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IMX8T109 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
IMX9 ROHM

获取价格

 		General purpose transistor (isolated dual transistors)
IMX-9000 ETC

获取价格

 		Industrial Mobile Handheld Device
IMX-9171 ETC

获取价格

 		Industrial Mobile Handheld Device
IMX-9172 ETC

获取价格

 		Industrial Mobile Handheld Device
IMX-9173 ETC

获取价格

 		Industrial Mobile Handheld Device
IMX9T108 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
IMX9T109 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,
IMX9T110 ROHM

获取价格

 		General purpose transistor (isolated dual transistors)
IMXHANTROWP ETC

获取价格

 		i.MX Applications Processors with Hantro＇s Mu

与IMX8T108相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证