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IMX8T109

更新时间: 2024-11-09 14:31:03
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罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon,

IMX8T109 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.73
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):180JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e1元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

IMX8T109 数据手册

 浏览型号IMX8T109的Datasheet PDF文件第2页 

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