Datasheet > 晶体管 > IGBT> IHW30N60T

IHW30N60T

更新时间： 2024-09-16 03:43:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
12页	368K
描述
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop technology with optimised diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IHW30N60T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	187 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	382 ns	标称接通时间 (ton)：	50 ns
Base Number Matches：	1

IHW30N60T 数据手册

IHW30N60T

Soft Switching Series

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop technology with optimised diode

Features:

•

Very low V_CE(sat)1.5 V (typ.)

Maximum Junction Temperature 175 °C

Short circuit withstand time – 5µs

TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications

offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- low V_CE(sat)

PG-TO-247-3-21

•

Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI

Low Gate Charge

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

•

Inductive Cooking

Soft Switching Applications

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

Package

IHW30N60T

600V

30A

1.5V

H30T60

PG-TO-247-3-21

175°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current, limited by T_jmax

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area (V_CE≤ 600V, T_j≤ 175°C)

I_{Cpul s}

Diode forward current

I_F

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Gate-emitter voltage

Transient Gate-emitter voltage (t_p< 5 ms)

Short circuit withstand time²⁾

I_{Fpul s}

V_{G E}

±20

±25

t_SC

µs

V_GE= 15V, V_CC≤ 400V, T_j≤ 150°C

P_{t ot}

T_j

T_stg

187

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

-40...+175

-55...+175

260

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.1 Apr. 06

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与IHW30N60T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IHW30N60T_08	INFINEON	获取价格	Soft Switching Series
IHW30N65R5	INFINEON	获取价格	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N65R5_15	INFINEON	获取价格	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N65R5_16	INFINEON	获取价格	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N65R6	INFINEON	获取价格	IGBT RC Soft Switching
IHW30N90R	INFINEON	获取价格	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N90R_08	INFINEON	获取价格	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW30N90T	INFINEON	获取价格	Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode
IHW30N90T_08	INFINEON	获取价格	Soft Switching Series
IHW30N90TXK	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PL

与IHW30N60T相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

10
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

8
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

90
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

80

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IHW30N60T

IHW30N60T 技术参数

IHW30N60T 数据手册

与IHW30N60T相关器件

与IHW30N60T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IHW30N60T

IHW30N60T 技术参数

IHW30N60T 数据手册

与IHW30N60T相关器件

与IHW30N60T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？