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IHW40T120

更新时间： 2024-09-22 22:33:43

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英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	355K
描述
IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

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IHW40T120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	700 ns	标称接通时间 (ton)：	92 ns
Base Number Matches：	1

IHW40T120 数据手册

IHW40T120

Soft Switching Series

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology

with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

•

Short circuit withstand time – 10µs

Designed for :

- Soft Switching Applications

- Induction Heating

•

Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- easy parallel switching capability due to positive

temperature coefficient in V_CE(sat)

•

Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon^™HE diode

Low EMI

Application specific optimisation of inverse diode

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

Package

Ordering Code

IHW40T120

1200V

40A

1.8V

H40T120

TO-247AC

Q67040-S4653

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

1200

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_Cpuls

105

_CE≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

I_F

T_C= 25°C

19.8

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Diode surge non repetitive current, t_plimited by T_jmax

T_C= 25°C, t_p= 10ms, sine halfwave

T_C= 25°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

T_C= 100°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

Gate-emitter voltage

I_Fpuls

I_FSM

200

160

V_GE

t_SC

±20

Short circuit withstand time¹⁾

µs

_GE= 15V, V_CC≤ 1200V, T_j≤ 150°C

P_tot

T_j

T_stg

270

Power dissipation, T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

-40...+150

-55...+150

260

°C

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2 Mar-04

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...14

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