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IHW40N65R5XKSA1

更新时间: 2024-01-12 04:10:21
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 2065K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

IHW40N65R5XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:20 weeks风险等级:2.24
最大集电极电流 (IC):80 A集电极-发射极最大电压:650 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):321 ns标称接通时间 (ton):59 ns
Base Number Matches:1

IHW40N65R5XKSA1 数据手册

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ResonantꢀSwitchingꢀSeries  
ReverseꢀconductingꢀIGBTꢀwithꢀmonolithicꢀbodyꢀdiode  
IHW40N65R5  
Dataꢀsheet  
IndustrialꢀPowerꢀControl  

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