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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IHY20N120R3
IHY20N120R3 PDF预览

IHY20N120R3

更新时间： 2024-11-18 11:19:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
12页 928K
描述
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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IHY20N120R3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.4 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：538 nsBase Number Matches：1

IHY20N120R3 数据手册

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IHY15N120R3  
IH-series  
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode  
C
Features:  
• Powerful monolithic body diode with low forward voltage  
designed for soft commutation only  
• TrenchStop® technology offering:  
- very tight parameter distribution  
G
E
- high ruggedness, temperature stable behavior  
- low VCEsat  
- easy parallel switching capability due to positive  
temperature coefficient in VCEsat  
• Low EMI  
• New TO-247HC package offers increased air & creepage  
distances compared to TO247 package  
• Qualified according to JEDEC J-STD-020 and JESD-022 for  
target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen free (according to IEC 61249-2-21)  
• Complete product spectrum and PSpice Models:  
http://www.infineon.com/igbt/  
Applications:  
• Inductive cooking  
Type  
V†Š  
I†  
V†ŠÙÈÚ, TÝÎ=25°C TÝÎÑÈà  
Marking  
Package  
IHY15N120R3  
1200V  
15A  
1.48V  
175°C  
H15R1203  
PG-TO247HC-3  
Maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
V†Š  
1200  
V
DC collector current, limited by TÝÎÑÈà  
T† = 25°C  
T† = 100°C  
I†  
30.0  
15.0  
A
Pulsed collector current, tÔ limited by TÝÎÑÈà  
I†ÔÛÐÙ  
-
45.0  
45.0  
A
A
Turn off safe operating area V†Š ù 1200V, TÝÎ ù 175°C  
Diode forward current, limited by TÝÎÑÈà  
T† = 25°C  
T† = 100°C  
IŒ  
30.0  
15.0  
A
Diode pulsed current, tÔ limited by TÝÎÑÈà  
IŒÔÛÐÙ  
V•Š  
45.0  
A
V
Gate-emitter voltage  
Transient Gate-emitter voltage (tÔ = 10µs, D < 0.010)  
±20  
±25  
Power dissipation T† = 25°C  
Power dissipation T† = 100°C  
254.0  
127.0  
PÚÓÚ  
W
Operating junction temperature  
Storage temperature  
TÝÎ  
-40...+175  
-55...+175  
°C  
°C  
TÙÚÃ  
Soldering temperature,  
for 10 s (according to JEDEC J-STA-020A)  
°C  
260  
0.6  
Mounting torque, M3 screw  
Maximum of mounting processes: 3  
M
Nm  
Rev. 2.1 2009-11-25  
1
1234567...12

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IHY20N120R3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IHW20N120R3 INFINEON

完全替代

 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
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类似代替

 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

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