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IHY30N160R2

更新时间： 2024-01-14 01:59:42

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	611K
描述
TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

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IHY30N160R2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	1600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6.4 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	312 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	675 ns
Base Number Matches：	1

IHY30N160R2 数据手册

IHY30N160R2

Soft Switching Series

TrenchStop^®Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

Features:

•

Powerful monolithic body diode with very low forward voltage

Body diode clamps negative voltages

Trench and fieldstop technology offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

NPT technology offers easy parallel switching capability due to

positive temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI

New TO-247HC package offers increased air & creepage

distances compared to TO247 package

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Halogen free (according to IEC 61249-2-21)

Complete product spectrum and PSpice models:

http://www.infineon.com/igbt/

•

Applications:

•

Inductive cooking

Soft switching applications

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

Package

IHY30N160R2

Maximum Ratings

Parameter

1600V

30A

1.8V

H30R1602

PG-TO247HC-3

175°C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

V_CE

I_C

1600

DC collector current

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area (V_CE≤ 1600V, T_j≤ 175°C)

Diode forward current

I_Cpuls

I_F

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_Fpuls

I_FSM

Diode surge non repetitive current, t_plimited by T_jmax

T_C= 25°C, t_p= 10ms, sine halfwave

130

120

T_C= 25°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

T_C= 100°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

Gate-emitter voltage

Transient Gate-emitter voltage (t_p< 10 µs, D < 0.01)

V_GE

±20

±25

P_tot

T_j

T_stg

312

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

-40...+175

-55...+175

260

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

Rev. 2.1 Nov. 09

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
II1608K100	RFE	SURFACE MOUNT INDUCTORS II1608 Series: 0603 Multilayer	获取价格
II1608K120	RFE	SURFACE MOUNT INDUCTORS II1608 Series: 0603 Multilayer	获取价格
II1608K1R0	RFE	SURFACE MOUNT INDUCTORS II1608 Series: 0603 Multilayer	获取价格
II1608K1R2	RFE	SURFACE MOUNT INDUCTORS II1608 Series: 0603 Multilayer	获取价格
II1608K1R8	RFE	SURFACE MOUNT INDUCTORS II1608 Series: 0603 Multilayer	获取价格
II1608K2R2	RFE	SURFACE MOUNT INDUCTORS II1608 Series: 0603 Multilayer	获取价格

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