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IHY15N120R3XKSA1 PDF预览

IHY15N120R3XKSA1

更新时间： 2024-01-17 02:07:40
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 927K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLASTIC, TO-247HC, 3 PIN

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IHY15N120R3XKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：460 ns
Base Number Matches：1

IHY15N120R3XKSA1 数据手册

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IHY15N120R3  
IH-series  
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode  
C
Features:  
• Powerful monolithic body diode with low forward voltage  
designed for soft commutation only  
• TrenchStop® technology offering:  
- very tight parameter distribution  
G
E
- high ruggedness, temperature stable behavior  
- low VCEsat  
- easy parallel switching capability due to positive  
temperature coefficient in VCEsat  
• Low EMI  
• New TO-247HC package offers increased air & creepage  
distances compared to TO247 package  
• Qualified according to JEDEC J-STD-020 and JESD-022 for  
target applications  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Halogen free (according to IEC 61249-2-21)  
• Complete product spectrum and PSpice Models:  
http://www.infineon.com/igbt/  
Applications:  
• Inductive cooking  
Type  
V†Š  
I†  
V†ŠÙÈÚ, TÝÎ=25°C TÝÎÑÈà  
Marking  
Package  
IHY15N120R3  
1200V  
15A  
1.48V  
175°C  
H15R1203  
PG-TO247HC-3  
Maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
V†Š  
1200  
V
DC collector current, limited by TÝÎÑÈà  
T† = 25°C  
T† = 100°C  
I†  
30.0  
15.0  
A
Pulsed collector current, tÔ limited by TÝÎÑÈà  
I†ÔÛÐÙ  
-
45.0  
45.0  
A
A
Turn off safe operating area V†Š ù 1200V, TÝÎ ù 175°C  
Diode forward current, limited by TÝÎÑÈà  
T† = 25°C  
T† = 100°C  
IŒ  
30.0  
15.0  
A
Diode pulsed current, tÔ limited by TÝÎÑÈà  
IŒÔÛÐÙ  
V•Š  
45.0  
A
V
Gate-emitter voltage  
Transient Gate-emitter voltage (tÔ = 10µs, D < 0.010)  
±20  
±25  
Power dissipation T† = 25°C  
Power dissipation T† = 100°C  
254.0  
127.0  
PÚÓÚ  
W
Operating junction temperature  
Storage temperature  
TÝÎ  
-40...+175  
-55...+175  
°C  
°C  
TÙÚÃ  
Soldering temperature,  
for 10 s (according to JEDEC J-STA-020A)  
°C  
260  
0.6  
Mounting torque, M3 screw  
Maximum of mounting processes: 3  
M
Nm  
Rev. 2.1 2009-11-25  
1
1234567...12

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IHY15N120R3XKSA1 替代型号

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IHY20N120R3 INFINEON

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 		Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
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