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IHW15N120R3

更新时间： 2024-09-18 01:20:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Material Content Data Sheet

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IHW15N120R3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.39最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.4 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：254 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：460 ns

IHW15N120R3 数据手册

  
Material Content Data Sheet  
Sales Product Name IHW15N120R3  
Issued  
21. September 2015  
MA#  
MA001410430  
Package  
PG-TO247-3-41  
Weight*  
6047.01 mg  
Average  
Mass  
[%]  
Average  
CAS#  
Weight  
[mg]  
Sum  
[%]  
Sum  
Construction Element  
Material Group  
Substances  
Mass  
[ppm]  
if applicable  
[ppm]  
chip  
inorganic material  
non noble metal  
inorganic material  
non noble metal  
non noble metal  
organic material  
plastics  
silicon  
7440-21-3  
7439-89-6  
7723-14-0  
7440-50-8  
7429-90-5  
1333-86-4  
-
3.338  
0.530  
0.06  
0.01  
0.00  
8.75  
0.06  
0.33  
6.30  
26.51  
0.53  
0.49  
0.00  
0.01  
0.02  
0.06  
0.02  
56.85  
0.06  
552  
88  
552  
leadframe  
iron  
phosphorus  
copper  
0.159  
26  
529.068  
3.533  
8.76  
0.06  
87492  
584  
87606  
584  
wire  
aluminium  
carbon black  
epoxy resin  
silicondioxide  
tin  
encapsulation  
20.040  
380.767  
1603.230  
32.273  
29.428  
0.216  
3314  
62968  
265128  
5337  
4867  
36  
inorganic material  
non noble metal  
non noble metal  
non noble metal  
noble metal  
60676-86-0  
7440-31-5  
7440-02-0  
7440-36-0  
7440-22-4  
7440-31-5  
7439-89-6  
7723-14-0  
7440-50-8  
33.14  
0.53  
0.49  
331410  
5337  
leadfinish  
plating  
nickel  
4867  
solder  
antimony  
silver  
0.540  
89  
non noble metal  
non noble metal  
inorganic material  
non noble metal  
< 10%  
tin  
1.405  
0.03  
232  
357  
heatspreader  
*deviation  
iron  
3.442  
569  
phosphorus  
copper  
1.033  
171  
3438.006  
56.93  
568547  
569287  
Sum in total: 100.00  
1000000  
Important Remarks:  
1.  
2.  
3.  
Infineon Technologies AG provides full material declaration based on information provided by third parties and  
has taken and continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information.  
Infineon Technologies AG and Infineon Technologies AG suppliers consider certain information to be  
proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
All statements are based on our present knowledge, are provided 'as is' and may be subject to change at any  
time due to technical requirements and development without notification.  
This product is in compliance with EU Directive 2011/65/EU (RoHS) and does not use any exemption.  
Company  
Address  
Internet  
Infineon Technologies AG  
81726 München  
www.infineon.com  
1

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IHW15N120R3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IHY15N120R3XKSA1 INFINEON

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA
IHY15N120R3 INFINEON

完全替代

 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IHW15N120R2 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IHW15N120R3_15 INFINEON

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 		Material Content Data Sheet
IHW15N120R3FKSA1 INFINEON

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