IHW30N100T

更新时间： 2024-11-18 03:43:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode

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IHW30N100T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1000 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	130 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6.4 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	412 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	702 ns	标称接通时间 (ton)：	90 ns
Base Number Matches：	1

IHW30N100T 数据手册

IHW30N100T

Soft Switching Series

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

with anti-parallel diode

Features:

•

1.1V Forward voltage of antiparallel rectifier diode

Specified for T_Jmax= 175°C

TrenchStop and Fieldstop technology for 1000 V applications

offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- easy parallel switching capability due to positive

temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI

PG-TO-247-3-21

•

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Application specific optimisation of inverse diode

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Applications:

•

Microwave Oven

Soft Switching Applications

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

Package

IHW30N100T

1000V

30A

1.55V

H30T100 PG-TO-247-3-21

175°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

V_CE

I_C

1000

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area V_CE≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

I_{Cpul s}

I_F

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Gate-emitter voltage

I_{Fpul s}

V_{G E}

±20

Transient Gate-emitter voltage (t_p< 5 ms)

±25

P_{t ot}

T_j

T_stg

412

Power dissipation, T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

-40...+175

-55...+175

260

°C

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹J-STD-020 and JESD-022

Rev. 2.4 May 06

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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