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IHW30N110R3

更新时间: 2024-11-01 20:06:59
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 2169K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1100V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

IHW30N110R3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.22最大集电极电流 (IC):60 A
集电极-发射极最大电压:1100 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:6.4 V门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):333 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):470 ns
Base Number Matches:1

IHW30N110R3 数据手册

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InductionꢀHeatingꢀSeries  
ReverseꢀconductingꢀIGBTꢀwithꢀmonolithicꢀbodyꢀdiode  
IHW30N110R3  
Dataꢀsheet  
IndustrialꢀPowerꢀControl  

IHW30N110R3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IHW30N110R3FKSA1 INFINEON

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1100V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA
IHW30N100R INFINEON

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IHW30N90R INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IHW30N110R3FKSA1 INFINEON

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1100V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA
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Material Content Data Sheet
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Material Content Data Sheet
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IGBT RC Soft Switching
IHW30N135R3 INFINEON

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Insulated Gate Bipolar Transistor,
IHW30N135R3FKSA1 INFINEON

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1350V V(BR)CES, N-Channel,