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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 7.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 80 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.4 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-609代码： | e3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 429 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IHW40N120R5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IHW40N120R5XKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IHW40N135R3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IHW40N135R5 | INFINEON |
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IGBT RC Soft Switching |
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| IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IHW40N140R5L | INFINEON |
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RC Soft Switching 1400 V, 40 A IGBT discrete?in a TO-247 3pin package has been designed to |
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| IHW40N60R | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PL |
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| IHW40N60RF | INFINEON |
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powerful monolithic body diode with low forward voltage |
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| IHW40N60RFKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PL |
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| IHW40N60T | INFINEON |
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Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop -technology with anti-parallel diode |
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