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IHW30N160R2FKSA1

更新时间： 2024-11-20 21:19:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	394K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IHW30N160R2FKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.89	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	1600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	675 ns	Base Number Matches：	1

IHW30N160R2FKSA1 数据手册

IHW30N160R2

Soft Switching Series

TrenchStop^®Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode

Features:

•

Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

Body diode clamps negative voltages

Trench and Fieldstop technology for 1600 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

NPT technology offers easy parallel switching capability due to

positive temperature coefficient in V_CE(sat)

•

Low EMI

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

PG-TO-247-3

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

•

Inductive Cooking

Soft Switching Applications

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

Package

IHW30N160R2

Maximum Ratings

Parameter

1600V

30A

1.8V

H30R1602

PG-TO-247-3

175°C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

V_CE

I_C

1600

DC collector current

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area (V_CE≤ 1600V, T_j≤ 175°C)

Diode forward current

I_Cpuls

I_F

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_Fpuls

I_FSM

Diode surge non repetitive current, t_plimited by T_jmax

T_C= 25°C, t_p= 10ms, sine halfwave

130

120

T_C= 25°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

T_C= 100°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

Gate-emitter voltage

Transient Gate-emitter voltage (t_p< 10 µs, D < 0.01)

V_GE

±20

±25

P_tot

T_j

T_stg

312

°C

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

-40...+175

-55...+175

260

¹J-STD-020 and JESD-022

Rev. 2.1 Nov 09

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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