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IHW30N90TXK PDF预览

IHW30N90TXK

更新时间： 2024-11-18 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 299K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IHW30N90TXK 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：HIGH SPEED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：900 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：691 ns标称接通时间 (ton)：82 ns
Base Number Matches：1

IHW30N90TXK 数据手册

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IHW30N90R  
q
Soft Switching Series  
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode  
Features:  
C
•
•
1.5V typical saturation voltage of IGBT  
Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers :  
- very tight parameter distribution  
G
E
- high ruggedness, temperature stable behavior  
- easy parallel switching capability due to positive  
temperature coefficient in VCE(sat)  
•
•
•
•
Low EMI  
Qualified according to JEDEC1 for target applications  
Application specific optimisation of inverse diode  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-TO-247-3  
Applications:  
•
•
Microwave Oven  
Soft Switching Applications for ZCS  
Type  
VCE  
IC  
VCE(sat),Tj=25°C  
Tj,max  
Marking  
Package  
IHW30N90R  
900V  
30A  
1.5V  
H30R90  
PG-TO-247-3  
175°C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
DC collector current  
VCE  
IC  
900  
V
A
60  
30  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
Turn off safe operating area VCE ≤ 900V, Tj ≤ 175°C  
Diode forward current  
ICpuls  
90  
90  
-
IF  
60  
30  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax  
Gate-emitter voltage  
IFpuls  
VGE  
90  
±20  
V
Transient Gate-emitter voltage (tp < 5 ms)  
±25  
Ptot  
Tj  
454  
W
Power dissipation, TC = 25°C  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
-40...+175  
-55...+175  
260  
°C  
°C  
Tstg  
-
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
1 J-STD-020 and JESD-022  
1
Rev. 2.2 Nov 08  
Power Semiconductors  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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