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IHW30N135R5XKSA1

更新时间： 2024-09-16 20:49:19

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
15页	1768K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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IHW30N135R5XKSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	20 weeks	风险等级：	2.04
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IHW30N135R5XKSA1 数据手册

IHW30N135R5

ResonantꢀSwitchingꢀSeries

ReverseꢀConductingꢀIGBTꢀwithꢀmonolithicꢀbodyꢀdiode

ꢀ

Features:

•ꢀPowerfulꢀmonolithicꢀbodyꢀdiodeꢀwithꢀlowꢀforwardꢀvoltage

designedꢀforꢀsoftꢀcommutation

•ꢀTRENCHSTOP^TMꢀtechnologyꢀoffering:

-ꢀveryꢀtightꢀparameterꢀdistribution

-ꢀhighꢀruggedness,ꢀtemperatureꢀstableꢀbehavior

-ꢀlowꢀV_CEsat

-ꢀeasyꢀparallelꢀswitchingꢀcapabilityꢀdueꢀtoꢀpositive

temperatureꢀcoefficientꢀinꢀV_CEsat

•ꢀLowꢀEMI

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJESD-022ꢀforꢀtargetꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogenꢀfreeꢀ(accordingꢀtoꢀIECꢀ61249-2-21)

•ꢀCompleteꢀproductꢀspectrumꢀandꢀPSpiceꢀModels:

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

•ꢀInductionꢀcooking

•ꢀMicrowaveꢀovens

KeyꢀPerformanceꢀandꢀPackageꢀParameters

Type

V_CE

I_C

V_CEsat,ꢀT_vj=25°C T_vjmax

1.65V 175°C

Marking

Package

PG-TO247-3

IHW30N135R5

1350V

30A

H30PR5

Datasheet

www.infineon.com

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.3

2019-09-20

12 3 4 5 6 7...15

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