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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.26 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 685 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 92 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IHW20N135R3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1350V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA |
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| IHW20N135R5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IHW20N135R5_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IHW20N140R5L | INFINEON |
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RC Soft Switching 1400 V, 20 A IGBT discrete in a TO-247 3pin package has been designed to |
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| IHW20N65R5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IHW20N65R5XKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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| IHW20T120 | INFINEON |
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Soft Switching Series |
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| IHW20T120FKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, P |
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| IHW25N120E1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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