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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 1350 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.4 V |
| 门极-发射极最大电压： | 25 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 385 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 505 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IHY20N135R3 | INFINEON |
完全替代  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1350V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IHW20N135R5 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IHW20N135R5_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| IHW20N140R5L | INFINEON |
获取价格 |
RC Soft Switching 1400 V, 20 A IGBT discrete in a TO-247 3pin package has been designed to |
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| IHW20N65R5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| IHW20N65R5XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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| IHW20T120 | INFINEON |
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Soft Switching Series |
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| IHW20T120FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, P |
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| IHW25N120E1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IHW25N120E1XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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| IHW25N120R2 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
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