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IHW25N120R2

更新时间： 2024-11-18 05:39:11
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英飞凌 - INFINEON 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 403K
描述
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

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IHW25N120R2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.89外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：50 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.4 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：365 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：463.6 nsBase Number Matches：1

IHW25N120R2 数据手册

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IHW25N120R2  
Soft Switching Series  
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode  
C
Features:  
•
•
•
Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage  
Body diode clamps negative voltages  
Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :  
- very tight parameter distribution  
G
E
- high ruggedness, temperature stable behavior  
NPT technology offers easy parallel switching capability due to  
positive temperature coefficient in VCE(sat)  
Low EMI  
•
•
•
•
•
Qualified according to JEDEC1 for target applications  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-TO-247-3  
Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/  
Applications:  
•
•
Inductive Cooking  
Soft Switching Applications  
Type  
VCE  
IC  
VCE(sat),Tj=25°C  
Tj,max  
Marking  
Package  
IHW25N120R2  
Maximum Ratings  
Parameter  
1200V  
25A  
1.6V  
H25R1202  
PG-TO-247-3  
175°C  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
VCE  
IC  
1200  
V
A
DC collector current  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
50  
25  
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
Turn off safe operating area (VCE ≤ 1200V, Tj ≤ 175°C)  
Diode forward current  
ICpuls  
-
IF  
75  
75  
50  
25  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax  
IFpuls  
IFSM  
75  
Diode surge non repetitive current, tp limited by Tjmax  
50  
TC = 25°C, tp = 10ms, sine halfwave  
130  
120  
TC = 25°C, tp ≤ 2.5µs, sine halfwave  
TC = 100°C, tp ≤ 2.5µs, sine halfwave  
Gate-emitter voltage  
Transient Gate-emitter voltage (tp < 10 µs, D < 0.01)  
VGE  
V
±20  
±25  
Ptot  
Tj  
Tstg  
-
365  
W
Power dissipation TC = 25°C  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
-40...+175  
-55...+175  
260  
°C  
1 J-STD-020 and JESD-022  
1
Rev. 2.3 Nov. 09  
Power Semiconductors  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IHW25N120R2FKSA1 INFINEON

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