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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 2.15 | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 460 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IHW15T120 | INFINEON |
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IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE dio |
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| IHW20N120R | INFINEON |
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Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
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| IHW20N120R2 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode |
|
| IHW20N120R3 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
|
| IHW20N120R3_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IHW20N120R3FKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA |
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| IHW20N120R5 | INFINEON |
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IGBT RC Soft Switching |
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| IHW20N120R5XKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, P |
|
| IHW20N135R3 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1350V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA |
|
| IHW20N135R5 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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