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IHW15N120R2

更新时间： 2024-11-21 03:43:59

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英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
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12页	365K
描述
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

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IHW15N120R2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6.4 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	357 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	432 ns	Base Number Matches：	1

IHW15N120R2 数据手册

IHW15N120R2

Soft Switching Series

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features:

•

Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

Body diode clamps negative voltages

Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

Low EMI

•

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

PG-TO-247-3-21

Complete product spectrum and PSpice Models :

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

•

Inductive Cooking

Soft Switching Applications

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

H15R1202

Package

IHW15N120R2

Maximum Ratings

Parameter

1200V

15A

1.5V

PG-TO-247-3-21

175°C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

V_CE

I_C

1200

DC collector current

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area (V_CE≤ 1200V, T_j≤ 175°C)

Diode forward current

I_{Cpul s}

I_F

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{Fpul s}

I_FSM

Diode surge non repetitive current, t_plimited by T_jmax

T_C= 25°C, t_p= 10ms, sine halfwave

T_C= 25°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

T_C= 100°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

130

120

Gate-emitter voltage

Transient Gate-emitter voltage (t_p< 5 ms)

V_{G E}

±20

±25

P_{t ot}

T_j

T_stg

357

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Mounting Torque

-40...+175

-55...+175

260

°C

M_s

0.6

¹J-STD-020 and JESD-022

Rev. 1.2 May 06

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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IHW15N120R2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IHW15N120R3	INFINEON	类似代替	Material Content Data Sheet
IHY15N120R3	INFINEON	类似代替	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

与IHW15N120R2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IHW15N120R2FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, P
IHW15N120R3	INFINEON	获取价格	Material Content Data Sheet
IHW15N120R3_15	INFINEON	获取价格	Material Content Data Sheet
IHW15N120R3FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA
IHW15T120	INFINEON	获取价格	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE dio
IHW20N120R	INFINEON	获取价格	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20N120R2	INFINEON	获取价格	Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20N120R3	INFINEON	获取价格	Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
IHW20N120R3_15	INFINEON	获取价格	Material Content Data Sheet
IHW20N120R3FKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA

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