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IHW15N120R2

更新时间： 2024-09-16 03:43:59
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英飞凌 - INFINEON 二极管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 365K
描述
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

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IHW15N120R2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AD包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.4 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：357 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：432 nsBase Number Matches：1

IHW15N120R2 数据手册

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IHW15N120R2  
Soft Switching Series  
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode  
C
Features:  
•
•
•
Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage  
Body diode clamps negative voltages  
Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :  
- very tight parameter distribution  
G
E
- high ruggedness, temperature stable behavior  
Low EMI  
•
•
•
•
Qualified according to JEDEC1 for target applications  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
PG-TO-247-3-21  
Complete product spectrum and PSpice Models :  
http://www.infineon.com/igbt/  
Applications:  
•
•
Inductive Cooking  
Soft Switching Applications  
Type  
VCE  
IC  
VCE(sat),Tj=25°C  
Tj,max  
Marking  
H15R1202  
Package  
IHW15N120R2  
Maximum Ratings  
Parameter  
1200V  
15A  
1.5V  
PG-TO-247-3-21  
175°C  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
VCE  
IC  
1200  
V
A
DC collector current  
TC = 25°C  
30  
15  
TC = 100°C  
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
Turn off safe operating area (VCE ≤ 1200V, Tj ≤ 175°C)  
Diode forward current  
ICpul s  
-
IF  
45  
45  
30  
15  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax  
IFpul s  
IFSM  
45  
Diode surge non repetitive current, tp limited by Tjmax  
TC = 25°C, tp = 10ms, sine halfwave  
TC = 25°C, tp ≤ 2.5µs, sine halfwave  
TC = 100°C, tp ≤ 2.5µs, sine halfwave  
50  
130  
120  
Gate-emitter voltage  
Transient Gate-emitter voltage (tp < 5 ms)  
VG E  
V
±20  
±25  
Pt ot  
Tj  
Tstg  
-
357  
W
Power dissipation TC = 25°C  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
Mounting Torque  
-40...+175  
-55...+175  
260  
°C  
Ms  
0.6  
Nm  
1 J-STD-020 and JESD-022  
1
Rev. 1.2 May 06  
Power Semiconductors  
1234567...12

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IHW15N120R2 替代型号

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