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IHW15N120R2FKSA1

更新时间： 2024-09-16 21:11:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	348K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IHW15N120R2FKSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	432 ns	Base Number Matches：	1

IHW15N120R2FKSA1 数据手册

IHW15N120R2

Soft Switching Series

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

Features:

•

Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

Body diode clamps negative voltages

Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

•

Low EMI

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

PG-TO-247-3

Complete product spectrum and PSpice Models :

http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

•

Inductive Cooking

Soft Switching Applications

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking

H15R1202

Package

IHW15N120R2

Maximum Ratings

Parameter

1200V

15A

1.5V

PG-TO-247-3

175°C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

V_CE

I_C

1200

DC collector current

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area (V_CE≤ 1200V, T_j≤ 175°C)

Diode forward current

I_Cpuls

I_F

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_Fpuls

I_FSM

Diode surge non repetitive current, t_plimited by T_jmax

T_C= 25°C, t_p= 10ms, sine halfwave

T_C= 25°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

T_C= 100°C, t_p≤ 2.5µs, sine halfwave

130

120

Gate-emitter voltage

V_GE

±20

±25

Transient Gate-emitter voltage (t_p< 5 ms)

P_tot

T_j

357

Power dissipation T_C= 25°C

Operating junction temperature

Storage temperature

-40...+175

-55...+175

260

°C

T_stg

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Mounting Torque

M_s

0.6

¹J-STD-020 and JESD-022

Rev. 1.5 Febr. 08

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

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